一、基本原理
本设备根据国家标准GB4023-83《半导体器件整流二极管的测试方法》和GB4024-83《半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法》设计制造,符合JB/T7624-94和JB/T7626-94要求。可用以测量晶闸管V DM、V RM、I DM、I RM等参数。还可以测量普通整流二极管的V RM、I RM等参数。
为了在测试中不损坏元件,本仪器设有两级过流自动保护电路,提高了仪器的可靠性。峰值电压和峰值电流均采用同步采样,数字显示。当需要观察伏安特性曲线时,前面板备有专用外接示波器接线端子。
本仪器测试方法为正弦法:采用标准规定的底宽为10ms的正弦半波。
二、主要技术指标
1、 峰值电压V DM、V RM: 0.10 KV—10.00 KV可调,实际使用0.40,KV—10.00 KV可调,采用4位数字电压表,显示分辨率10 V,精度3%。
2、 峰值电流I DM、I RM: 最大100.0 mA可调,显示分辨率0.1 mA,精度3%,或±0.2mA。